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SSM6L56FE,LM
SSM6L56FE,LM
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: ロジックレベルゲート、1.5V駆動
グレード: -
動作温度: 150°C
電力 - 最大: 150mW（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 235ミリオーム @ 800mA、4.5V、390ミリオーム @ 800mA、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 800mA（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 1nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 55pF @ 10V、100pF @ 10V
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構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: ロジックレベルゲート、1.5V駆動
グレード: -
動作温度: 150°C
電力 - 最大: 150mW（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 235ミリオーム @ 800mA、4.5V、390ミリオーム @ 800mA、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 800mA（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 1nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 55pF @ 10V、100pF @ 10V
