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SSM5H08TU,LF
SSM5H08TU,LF
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: ショットキーダイオード（絶縁型）
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 150°C
Vgs（最大）: ±12V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 500mW（Ta）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.1V @ 100µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 160ミリオーム @ 750mA、4V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 1.5A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 2.5V、4V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 125 pF @ 10 V
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認定: -
FET機能: ショットキーダイオード（絶縁型）
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 150°C
Vgs（最大）: ±12V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 500mW（Ta）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.1V @ 100µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 160ミリオーム @ 750mA、4V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 1.5A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 2.5V、4V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 125 pF @ 10 V
