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SSM3K376R,LXHF
SSM3K376R,LXHF
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: 150°C
Vgs（最大）: +12V、 -8V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 1W（Ta）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 56ミリオーム @ 2A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 2.2 nC @ 4.5 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 1.8V、4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 200 pF @ 10 V
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認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: 150°C
Vgs（最大）: +12V、 -8V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 1W（Ta）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 56ミリオーム @ 2A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 2.2 nC @ 4.5 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 1.8V、4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 200 pF @ 10 V
