仕入ランク:A
1
/
の
1
SQW33N65EF-GE3
SQW33N65EF-GE3
価格はお問合せ
要確認
メーカー: Vishay Siliconix
データシート: データシートを表示
数量
技術: MOSFET(金属酸化物)
認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C~175°C(TJ)
Vgs(最大): ±30V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸(最大): 375W(Tc)
Id印加時のVgs(th)(最大): 4V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On(最大): 109ミリオーム @ 16.5A、10V
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id): 34A(Tc)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大): 173 nC @ 10 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 3972 pF @ 100 V
詳細を表示する
認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C~175°C(TJ)
Vgs(最大): ±30V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸(最大): 375W(Tc)
Id印加時のVgs(th)(最大): 4V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On(最大): 109ミリオーム @ 16.5A、10V
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id): 34A(Tc)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大): 173 nC @ 10 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 3972 pF @ 100 V
