技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 27W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 45ミリオーム @ 6A、10V、146ミリオーム @ 6A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 15A（Tc）、9.5A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 15nC @ 10V、20nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 600pF @ 25V、650pF @ 25V