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SQ1539EH-T1_GE3
SQ1539EH-T1_GE3
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メーカー: Vishay Siliconix
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技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 1.5W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.6V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 280ミリオーム @ 1A、 10V、 940ミリオーム @ 500mA、 10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 850mA（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 1.4nC @ 4.5V、 1.6nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 48pF @ 15V、 50pF @ 15V
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構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 1.5W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.6V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 280ミリオーム @ 1A、 10V、 940ミリオーム @ 500mA、 10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 850mA（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 1.4nC @ 4.5V、 1.6nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 48pF @ 15V、 50pF @ 15V
