技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
FET機能: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 2W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: -
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: -
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3A、2.5A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -