認定: -
FETタイプ: Pチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 350 mW
抵抗 - RDS（On）: 110 Ohms
取り付けタイプ: 面実装
電流ドレイン（Id） - 最大: -
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30 V
電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）: 2 V @ 1 nA
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 12pF @ 10V
電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）: 10 mA @ 15 V