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SMMBF4391LT1G
SMMBF4391LT1G
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認定: AEC-Q101
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C~150°C(TJ)
電力 - 最大: 225 mW
抵抗 - RDS(On): 30 Ohms
取り付けタイプ: 面実装
電流ドレイン(Id) - 最大: -
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 30 V
電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ): 4 V @ 10 nA
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS): 30 V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 14pF @ 15V(VGS)
電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss): 50 mA @ 15 V
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FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C~150°C(TJ)
電力 - 最大: 225 mW
抵抗 - RDS(On): 30 Ohms
取り付けタイプ: 面実装
電流ドレイン(Id) - 最大: -
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 30 V
電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ): 4 V @ 10 nA
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS): 30 V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 14pF @ 15V(VGS)
電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss): 50 mA @ 15 V
