技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 4 Nチャンネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 4.8W
取り付けタイプ: スルーホール
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 100ミリオーム @ 3.5A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 7A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 660pF @ 10V