技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 3.4W（Ta）、 26.6W（Tc）、 4W（Ta）、 60W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.4V @ 250µA、2.2V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 3.8ミリオーム @ 10A、10V、0.9ミリオーム @ 10A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 25V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 23.5A（Ta）、40A（Tc）、52A（Ta）、60A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 21nC @ 10V、98nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1050pF @ 10V、4670pF @ 10V