技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 4.5W（Ta）、38W（Tc）、5W（Ta）、83W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.2V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 2.1ミリオーム @ 15A、10V、0.9ミリオーム @ 20A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 36A（Ta）、105A（Tc）、63A（Ta）、257A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 49nC @ 10V、165nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1630pF @ 15V、5550pF @ 15V