技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 4.2W（Ta）、62.5W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.4V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 5.5ミリオーム @ 15A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 80V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 18.6A（Ta）、72A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 85nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 4260pF @ 40V