技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 3.7W（Ta）、16.7W（Tc）、4.2W（Ta）、31W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.4V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 9.2ミリオーム @ 10A、10V、5ミリオーム @ 20A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 15.8A（Ta）、33.6A（Tc）、23A（Ta）、63A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 12.6nC @ 10V、21nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 960pF @ 15V、500pF @ 15V