仕入ランク:A
1
/
の
1
SIL2429HE3-TP
SIL2429HE3-TP
価格はお問合せ
要確認
メーカー: MCC (Micro Commercial Components)
データシート: データシートを表示
数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 670mW
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.1V @ 250µA、1V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 57ミリオーム @ 1A、4.5V、120ミリオーム @ 1A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 2A（Ta）、1.6A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 3.16nC @ 4.5V、2.9nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 188pF @ 10V、214pF @ 10V
詳細を表示する
構成: NおよびPチャンネル
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 670mW
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.1V @ 250µA、1V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 57ミリオーム @ 1A、4.5V、120ミリオーム @ 1A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 2A（Ta）、1.6A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 3.16nC @ 4.5V、2.9nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 188pF @ 10V、214pF @ 10V
