仕入ランク:A
1
/
の
1
SIC830ED-T1-GE3
SIC830ED-T1-GE3
価格はお問合せ
要確認
メーカー: Vishay Siliconix
データシート: データシートを表示
数量
技術: パワーMOSFET
特長: ブートストラップ回路、ダイオードエミュレーション
用途: DC-DCコンバータ、同期式降圧コンバータ
認定: -
グレード: -
出力構成: ハイサイド
動作温度: -
負荷タイプ: 誘導性
電圧 - 供給: 3.3V~5V
電圧 - 負荷: 19V
Rds On(標準): -
フォールト保護: 過電流、過温度、UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: 論理、PWM
電流 - ピーク出力: -
電流 - 出力/チャンネル: 80A
詳細を表示する
特長: ブートストラップ回路、ダイオードエミュレーション
用途: DC-DCコンバータ、同期式降圧コンバータ
認定: -
グレード: -
出力構成: ハイサイド
動作温度: -
負荷タイプ: 誘導性
電圧 - 供給: 3.3V~5V
電圧 - 負荷: 19V
Rds On(標準): -
フォールト保護: 過電流、過温度、UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: 論理、PWM
電流 - ピーク出力: -
電流 - 出力/チャンネル: 80A
