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SIC670CD-T1-GE3
SIC670CD-T1-GE3
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メーカー: Vishay Siliconix
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数量
技術: パワーMOSFET
特長: ブートストラップ回路
用途: 同期式降圧コンバータ
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -
負荷タイプ: 誘導性、容量性
電圧 - 供給: -
電圧 - 負荷: -
Rds On(標準): -
フォールト保護: 電流制限、過温度、UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM
電流 - ピーク出力: 100A
電流 - 出力/チャンネル: 55A
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特長: ブートストラップ回路
用途: 同期式降圧コンバータ
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -
負荷タイプ: 誘導性、容量性
電圧 - 供給: -
電圧 - 負荷: -
Rds On(標準): -
フォールト保護: 電流制限、過温度、UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM
電流 - ピーク出力: 100A
電流 - 出力/チャンネル: 55A
