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SIC645ADR-T1-GE3
SIC645ADR-T1-GE3
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メーカー: Vishay Siliconix
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技術: NMOS
特長: ブートストラップ回路、ステータスフラグ
用途: 同期式降圧コンバータ、電圧レギュレータ
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C~85°C(TJ)
負荷タイプ: 誘導性
電圧 - 供給: 4.75~5.25V
電圧 - 負荷: 4.5V~18V
Rds On(標準): 0.76ミリオームLS、3.6ミリオームHS
フォールト保護: 電流制限、過温度、シュートスルー、UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM
電流 - ピーク出力: -
電流 - 出力/チャンネル: -
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特長: ブートストラップ回路、ステータスフラグ
用途: 同期式降圧コンバータ、電圧レギュレータ
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C~85°C(TJ)
負荷タイプ: 誘導性
電圧 - 供給: 4.75~5.25V
電圧 - 負荷: 4.5V~18V
Rds On(標準): 0.76ミリオームLS、3.6ミリオームHS
フォールト保護: 電流制限、過温度、シュートスルー、UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM
電流 - ピーク出力: -
電流 - 出力/チャンネル: -
