技術: パワーMOSFET
特長: ブートストラップ回路、ダイオードエミュレーション
用途: 汎用
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
負荷タイプ: 誘導性、容量性、抵抗性
電圧 - 供給: 4.5V～5.5V
電圧 - 負荷: 16V
Rds On（標準）: -
フォールト保護: 過電流、過温度、シュートスルー、UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: 論理、PWM
電流 - ピーク出力: 100A
電流 - 出力/チャンネル: 50A