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SIC532CD-T1-GE3
SIC532CD-T1-GE3
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メーカー: Vishay Siliconix
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技術: パワーMOSFET
特長: ブートストラップ回路、ダイオードエミュレーション
用途: 同期式降圧コンバータ
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C~150°C(TJ)
負荷タイプ: 誘導性
電圧 - 供給: 4.5V~5.5V
電圧 - 負荷: 4.5V~24V
Rds On(標準): -
フォールト保護: UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM
電流 - ピーク出力: 35A
電流 - 出力/チャンネル: 30A
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特長: ブートストラップ回路、ダイオードエミュレーション
用途: 同期式降圧コンバータ
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C~150°C(TJ)
負荷タイプ: 誘導性
電圧 - 供給: 4.5V~5.5V
電圧 - 負荷: 4.5V~24V
Rds On(標準): -
フォールト保護: UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM
電流 - ピーク出力: 35A
電流 - 出力/チャンネル: 30A
