技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: 論理レベルゲート
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 7.8W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 28ミリオーム @ 5.2A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 12V、20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4.5A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 16nC @ 8V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 455pF @ 6V