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SI9910DY-T1-E3
SI9910DY-T1-E3
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メーカー: Vishay Siliconix
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~150°C(TJ)
駆動構成: ハイサイド
ドライバ数: 1
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 10.8V~16.5V
ゲートタイプ: MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: シングル
論理電圧 - VIL、VIH: -
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 50ns、35ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 1A、1A
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): 500 V
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グレード: -
動作温度: -40°C~150°C(TJ)
駆動構成: ハイサイド
ドライバ数: 1
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 10.8V~16.5V
ゲートタイプ: MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: シングル
論理電圧 - VIL、VIH: -
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 50ns、35ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 1A、1A
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): 500 V
