技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Pチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: ±20V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 3.2W（Ta）、12.5W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4.5V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 1.2オーム @ 500mA、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 150 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 2.17A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 12 nC @ 10 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 6V、10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 510 pF @ 25 V