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SI3439KU6-TP
SI3439KU6-TP
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メーカー: MCC (Micro Commercial Components)
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技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 350mW（Tj）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.2V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 250ミリオーム @ 500mA、4.5V、850ミリオーム @ 500mA、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 750mA（Ta）、520mA（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 1.2nC @ 4.5V、1.4nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 33pF @ 16V、36pF @ 10V
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構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 350mW（Tj）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.2V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 250ミリオーム @ 500mA、4.5V、850ミリオーム @ 500mA、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 750mA（Ta）、520mA（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 1.2nC @ 4.5V、1.4nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 33pF @ 16V、36pF @ 10V
