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SI3400AHE3-TP
SI3400AHE3-TP
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メーカー: MCC (Micro Commercial Components)
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数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～150°C
Vgs（最大）: ±12V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 1.3W
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.2V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 27ミリオーム @ 5.8A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5.8A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 2.5V、10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1155 pF @ 15 V
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認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～150°C
Vgs（最大）: ±12V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 1.3W
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.2V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 27ミリオーム @ 5.8A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5.8A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 2.5V、10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1155 pF @ 15 V
