技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 290mW（Ta）、340mW（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 388ミリオーム @ 600mA、10V、890ミリオーム @ 400mA、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 700mA（Ta）、700mA（Tc）、400mA（Ta）、500mA（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 1.5nC @ 10V、3nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 28pF @ 15V、34pF @ 15V