仕入ランク:A
1
/
の
1
SH8KA2GZETB
SH8KA2GZETB
価格はお問合せ
要確認
メーカー: ROHM Semiconductor
データシート: データシートを表示
数量
技術: -
構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 2.8W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 28ミリオーム @ 8A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 8A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 8nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 330pF @ 15V
詳細を表示する
構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 2.8W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 28ミリオーム @ 8A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 8A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 8nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 330pF @ 15V
