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SFEM256GB2ED1TB-A-VG-121-STD
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技術: FLASH - NAND(TLC)
認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~105°C(TA)
メモリ構成: 256G x 8
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 2Tビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: eMMC_5.1
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~105°C(TA)
メモリ構成: 256G x 8
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 2Tビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: eMMC_5.1
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
