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SFEM032GB1EA1TO-I-LF-111-E16
SFEM032GB1EA1TO-I-LF-111-E16
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技術: FLASH - NAND(pSLC)
動作温度: -40°C~85°C
メモリ構成: 32G x 8
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 256Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: eMMC
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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動作温度: -40°C~85°C
メモリ構成: 32G x 8
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 256Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: eMMC
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
