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SDS120J002D3-ISARH
SDS120J002D3-ISARH
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メーカー: Sanan Power Semiconductor
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数量
技術: SiC（Silicon Carbide）Schottky
認定: -
速度: 回復時間なし > 500mA（Io）
グレード: -
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間（trr）: 0 ns
電流 - 平均整流（Io）: 11A
Vr、F印加時の静電容量: 165pF @ 0V、1MHz
動作温度 - ジャンクション: -55°C～175°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 8 µA @ 1200 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 1200 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 1.5 V @ 2 A
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認定: -
速度: 回復時間なし > 500mA（Io）
グレード: -
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間（trr）: 0 ns
電流 - 平均整流（Io）: 11A
Vr、F印加時の静電容量: 165pF @ 0V、1MHz
動作温度 - ジャンクション: -55°C～175°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 8 µA @ 1200 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 1200 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 1.5 V @ 2 A
