技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 175°C（TJ）
Vgs（最大）: +21V、-4V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 115W
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4.8V @ 8mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 65ミリオーム @ 15A、18V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 29A（Tj）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 71 nC @ 18 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 18V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1703 pF @ 800 V