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SBE808-TL-W
SBE808-TL-W
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技術: ショットキー
認定: -
速度: 高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）
グレード: -
ダイオード構成: 2独立
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間（trr）: 10 ns
動作温度 - ジャンクション: -55°C～150°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 3 µA @ 6 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 15 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 540 mV @ 1 A
電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）: 1A
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認定: -
速度: 高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）
グレード: -
ダイオード構成: 2独立
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間（trr）: 10 ns
動作温度 - ジャンクション: -55°C～150°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 3 µA @ 6 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 15 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 540 mV @ 1 A
電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）: 1A
