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S6R8008W1B-UI10T
S6R8008W1B-UI10T
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技術: SRAM - 非同期
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C
メモリ構成: 1M x 8
電圧 - 供給: 1.65V~3.6V
アクセス時間: 10 ns
メモリサイズ: 8Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C
メモリ構成: 1M x 8
電圧 - 供給: 1.65V~3.6V
アクセス時間: 10 ns
メモリサイズ: 8Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
