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S6E2H16G0AGB30000
S6E2H16G0AGB30000
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数量
I/O数: 100
認定: -
速度: 160MHz
接続性: CSIO、EBI/EMI、I2C、LINbus、UART/USART
RAMサイズ: 64K x 8
グレード: -
動作温度: -40°C~125°C(TA)
EEPROMサイズ: -
コアサイズ: 32ビット
ペリフェラル: DMA、LVD、POR、PWM、WDT
発振器タイプ: 内蔵
コアプロセッサ: ARM® Cortex®-M4F
取り付けタイプ: 面実装
データコンバータ: A/D 24x12b; D/A 2x12b
DigiKeyプログラマブル: 未検証
電圧 - 電源(Vcc/Vdd): 2.7V~5.5V
プログラムメモリサイズ: 544KB(544K x 8)
プログラムメモリタイプ: フラッシュ
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認定: -
速度: 160MHz
接続性: CSIO、EBI/EMI、I2C、LINbus、UART/USART
RAMサイズ: 64K x 8
グレード: -
動作温度: -40°C~125°C(TA)
EEPROMサイズ: -
コアサイズ: 32ビット
ペリフェラル: DMA、LVD、POR、PWM、WDT
発振器タイプ: 内蔵
コアプロセッサ: ARM® Cortex®-M4F
取り付けタイプ: 面実装
データコンバータ: A/D 24x12b; D/A 2x12b
DigiKeyプログラマブル: 未検証
電圧 - 電源(Vcc/Vdd): 2.7V~5.5V
プログラムメモリサイズ: 544KB(544K x 8)
プログラムメモリタイプ: フラッシュ
