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S6E1C11B0AGN20000
S6E1C11B0AGN20000
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メーカー: Infineon
数量
I/O数: 24
認定: -
速度: 40MHz
接続性: CSIO、I2C、LINbus、スマートカード、UART/USART
RAMサイズ: 12K x 8
グレード: -
動作温度: -40°C~105°C(TA)
EEPROMサイズ: -
コアサイズ: 32ビット
ペリフェラル: I2S、LVD、POR、PWM、WDT
発振器タイプ: 内蔵
コアプロセッサ: ARM® Cortex®-M0+
取り付けタイプ: 面実装
データコンバータ: A/D 6x12b
DigiKeyプログラマブル: 未検証
電圧 - 電源(Vcc/Vdd): 1.65V~3.6V
プログラムメモリサイズ: 64KB(64K x 8)
プログラムメモリタイプ: フラッシュ
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認定: -
速度: 40MHz
接続性: CSIO、I2C、LINbus、スマートカード、UART/USART
RAMサイズ: 12K x 8
グレード: -
動作温度: -40°C~105°C(TA)
EEPROMサイズ: -
コアサイズ: 32ビット
ペリフェラル: I2S、LVD、POR、PWM、WDT
発振器タイプ: 内蔵
コアプロセッサ: ARM® Cortex®-M0+
取り付けタイプ: 面実装
データコンバータ: A/D 6x12b
DigiKeyプログラマブル: 未検証
電圧 - 電源(Vcc/Vdd): 1.65V~3.6V
プログラムメモリサイズ: 64KB(64K x 8)
プログラムメモリタイプ: フラッシュ
