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S3R1616R1M-XI70T
S3R1616R1M-XI70T
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技術: MRAM(磁気抵抗RAM)
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 1M x 16
電圧 - 供給: 1.71V~1.98V
アクセス時間: 70 ns
メモリサイズ: 16Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: RAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: PPI - パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 1M x 16
電圧 - 供給: 1.71V~1.98V
アクセス時間: 70 ns
メモリサイズ: 16Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: RAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: PPI - パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
