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S3A1004V0M-AI1AT
S3A1004V0M-AI1AT
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メーカー: Netsol
数量
技術: MRAM(磁気抵抗RAM)
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 256K x 4
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: 7 ns
メモリサイズ: 1Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 108 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: RAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 256K x 4
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: 7 ns
メモリサイズ: 1Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 108 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: RAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
