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S29GL01GS11DHSS10
S29GL01GS11DHSS10
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メーカー: Infineon
数量
技術: FLASH - NOR
認定: -
グレード: -
動作温度: 0°C~85°C(TA)
メモリ構成: 64M x 16
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: 110 ns
メモリサイズ: 1Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 60ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: 0°C~85°C(TA)
メモリ構成: 64M x 16
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: 110 ns
メモリサイズ: 1Gビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 60ns
