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S27KS0642GABHM023
S27KS0642GABHM023
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技術: PSRAM(擬似SRAM)
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~125°C(TA)
メモリ構成: 8M x 8
電圧 - 供給: 1.7V~2V
アクセス時間: 35 ns
メモリサイズ: 64Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: PSRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: HyperBus
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 35ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~125°C(TA)
メモリ構成: 8M x 8
電圧 - 供給: 1.7V~2V
アクセス時間: 35 ns
メモリサイズ: 64Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: PSRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: HyperBus
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 35ns
