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S25FL064P0XMFB003
S25FL064P0XMFB003
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技術: FLASH - NOR
認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~105°C(TA)
メモリ構成: 8M x 8
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 64Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 104 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 5µs、3ms
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認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~105°C(TA)
メモリ構成: 8M x 8
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 64Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 104 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 5µs、3ms
