仕入ランク:A
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RN2710,LF
RN2710,LF
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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数量
認定: -
グレード: -
電力 - 最大: 200mW
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース（R1）: 4.7キロオーム
トランジスタタイプ: 2 PNP - プリバイアス（デュアル）
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 300mV @ 250µA、5mA
周波数 - トランジション: 200MHz
抵抗 - エミッタベース（R2）: -
電流 - コレクタ遮断（最大）: 100nA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 120 @ 1mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 50V
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グレード: -
電力 - 最大: 200mW
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース（R1）: 4.7キロオーム
トランジスタタイプ: 2 PNP - プリバイアス（デュアル）
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 300mV @ 250µA、5mA
周波数 - トランジション: 200MHz
抵抗 - エミッタベース（R2）: -
電流 - コレクタ遮断（最大）: 100nA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 100mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 120 @ 1mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 50V
