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RN1109,LF(CT
RN1109,LF(CT
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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数量
認定: -
グレード: -
電力 - 最大: 100 mW
抵抗器を含む: R1とR2
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース（R1）: 47 kOhms
トランジスタタイプ: NPN - プリバイアス
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 300mV @ 250µA、5mA
周波数 - トランジション: 250 MHz
抵抗 - エミッタベース（R2）: 22 kOhms
電流 - コレクタ遮断（最大）: 100nA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 100 mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 70 @ 10mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 50 V
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グレード: -
電力 - 最大: 100 mW
抵抗器を含む: R1とR2
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース（R1）: 47 kOhms
トランジスタタイプ: NPN - プリバイアス
Vce飽和（最大） @ lb、Ic: 300mV @ 250µA、5mA
周波数 - トランジション: 250 MHz
抵抗 - エミッタベース（R2）: 22 kOhms
電流 - コレクタ遮断（最大）: 100nA（ICBO）
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 100 mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 70 @ 10mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 50 V
