技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 3Nおよび3Pチャネル（3相ブリッジ）
認定: AEC-Q101
FET機能: ロジックレベルゲート、4.5V駆動
グレード: 自動車
動作温度: 175°C
電力 - 最大: 54W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 20ミリオーム @ 10A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 20A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 43nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2600pF @ 10V