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RGT8NS65DGTL
RGT8NS65DGTL
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メーカー: ROHM Semiconductor
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数量
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~175°C(TJ)
IGBTタイプ: トレンチ型フィールドストップ
ゲート充電: 13.5 nC
テスト条件: 400V、4A、50オーム、15V
入力タイプ: 標準
電力 - 最大: 65 W
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間(trr): 40 ns
25°CでのTd(オン/オフ): 17ns/69ns
スイッチングエネルギー: -
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2.1V @ 15V、4A
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 8 A
電流 - パルス形コレクタ(Icm): 12 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 650 V
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グレード: -
動作温度: -40°C~175°C(TJ)
IGBTタイプ: トレンチ型フィールドストップ
ゲート充電: 13.5 nC
テスト条件: 400V、4A、50オーム、15V
入力タイプ: 標準
電力 - 最大: 65 W
取り付けタイプ: 面実装
逆回復時間(trr): 40 ns
25°CでのTd(オン/オフ): 17ns/69ns
スイッチングエネルギー: -
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2.1V @ 15V、4A
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 8 A
電流 - パルス形コレクタ(Icm): 12 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 650 V
