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RFM01U7P(TE12L,F)
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: Nチャンネル
認定: -
ゲイン: 10.8dB
周波数: 520MHz
グレード: -
雑音指数: -
電圧 - 定格: 20 V
電源 - 出力: 1.2W
電圧 - テスト: 7.2 V
電流 - テスト: 100 mA
定格電流（A）: 1A
取り付けタイプ: 面実装
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構成: Nチャンネル
認定: -
ゲイン: 10.8dB
周波数: 520MHz
グレード: -
雑音指数: -
電圧 - 定格: 20 V
電源 - 出力: 1.2W
電圧 - テスト: 7.2 V
電流 - テスト: 100 mA
定格電流（A）: 1A
取り付けタイプ: 面実装
