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RBA140N08EANS-4UA03#HB0
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メーカー: Renesas Electronics Corporation
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技術: MOSFET(金属酸化物)
認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C~175°C
Vgs(最大): ±20V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸(最大): 140W(Tc)
Id印加時のVgs(th)(最大): 4V @ 85µA
Id、Vgs印加時のRds On(最大): 3.1mOhm @ 70A, 10V
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 80 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id): 140A(Tc)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大): 76 nC @ 10 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 5400 pF @ 40 V
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認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C~175°C
Vgs(最大): ±20V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸(最大): 140W(Tc)
Id印加時のVgs(th)(最大): 4V @ 85µA
Id、Vgs印加時のRds On(最大): 3.1mOhm @ 70A, 10V
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 80 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id): 140A(Tc)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大): 76 nC @ 10 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 5400 pF @ 40 V