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QSZ3TR
QSZ3TR
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メーカー: ROHM Semiconductor
数量
認定: -
グレード: -
動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 500mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: 1 NPN、1 PNP(エミッタ結合)
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 250mV @ 30mA、1.5A
周波数 - トランジション: 280MHz
電流 - コレクタ遮断(最大): 100nA(ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 3A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 270 @ 500mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 12V
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グレード: -
動作温度: 150°C(TJ)
電力 - 最大: 500mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: 1 NPN、1 PNP(エミッタ結合)
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 250mV @ 30mA、1.5A
周波数 - トランジション: 280MHz
電流 - コレクタ遮断(最大): 100nA(ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 3A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 270 @ 500mA、2V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 12V
