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QS8K11TCR
QS8K11TCR
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メーカー: ROHM Semiconductor
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数量
技術: -
構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 1.5W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 50ミリオーム @ 3.5A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3.5A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 3.3nC @ 5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 180pF @ 10V
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構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 1.5W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 50ミリオーム @ 3.5A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3.5A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 3.3nC @ 5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 180pF @ 10V
