技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～175°C
Vgs（最大）: +25V、-10V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 198W
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3.8V @ 100µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 100ミリオーム @ 20A、20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 36A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 60 nC @ 600 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 2.8V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1001 pF @ 800 V