技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 1.1W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 10µA、3V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 46ミリオーム @ 4.5A、10V、190ミリオーム @ 2A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 4.5A（Ta）、2A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 2.6nC @ 10V、9.5nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 193pF @ 20V、450pF @ 20V